| 评审组： | 电子与通信技术组 | | 项目名称： | 宽带隙化合物半导体薄膜生长与光电转换机理研究 |
| 提名单位： | 陕西省电子学会 |
| 提名等级： | 一等奖 |
| 提名单位意见： | 我单位认真审阅了该项目申报书及附件材料，确认全部材料真实有效，并按照要求对该项目的基本情况进行了公示，公示期间无异议。
钙钛矿半导体是全球学术界与工业界高度关注的新型化合物光伏材料，是下一代高效率、低成本太阳电池的理想候选，当前正处于基础研究积累支撑产业化突破的转型攻坚期。本项目针对宽带隙钙钛矿结晶精确控制机理不明确、缺陷诱导非辐射复合对光电器件性能的瓶颈限制等国际前沿科学技术难题，研究并揭示了钙钛矿材料诱导生长机理与载流子输运调控规律，突破了高质量宽带隙钙钛矿薄膜、单晶及光电器件关键制备技术，多次刷新钙钛矿太阳电池性能纪录，发表或出版了具有重要学术值的顶刊论文和中英文专著，多个代表性成果入选ESI高被引论文，并获得了国际同行的重点关注和高度评价。这些成果保证了我国在钙钛矿相关研究领域的国际领先地位，能够为我国新能源产业创新发展与实现“双碳”战略目标提供理论与技术支撑。
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| 项目简介： | 
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| 客观评价： | 
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| 代表性论文专著目录： | 
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| 主要完成人情况： | - 姓名：张春福
排名：1
行政职务：无
技术职称：教授
工作单位：西安电子科技大学
完成项目时所在单位：西安电子科技大学
对本项目主要学术贡献：针对重要科学发现1、2、3，负责项目的理论设计及技术实现，提出了自上而下和自下而上宽带隙无机钙钛矿半导体薄膜生长理论，揭示了钙钛矿成核结晶和载流子复合的关键调控机制，设计并实现了高性能宽带隙钙钛矿太阳电池和光电探测器；主编中、英文专著各1部，参编中文专著1部。以上贡献对应代表性论著1、2、3、4、5、6、7、8。
- 姓名：朱卫东
排名：2
行政职务：无
技术职称：教授
工作单位：西安电子科技大学
完成项目时所在单位：西安电子科技大学
对本项目主要学术贡献：针对重要科学发现1和2，完成了中间相分子交换、顶部籽晶辅助生长、埋底界面微纳结构修饰方法的生长工艺设计，揭示了材料生长的微观机理，实现了多种宽带隙钙钛矿薄膜的高质量制备；推动了钙钛矿技术的成果转化与产业落地；主编中文专著1部。以上贡献对应代表性论著1、2、3、4、7。
- 姓名：陈大正
排名：3
行政职务：无
技术职称：教授
工作单位：西安电子科技大学
完成项目时所在单位：西安电子科技大学
对本项目主要学术贡献：针对重要科学发现1和2，完成了多种宽带隙碳电极钙钛矿太阳电池的制造工艺设计与迭代优化，揭示了载流子输运调控规律，实现了宽带隙钙钛矿太阳电池及光电探测器的性能提升；推动了钙钛矿技术的产学研合作和应用验证；参编中文专著2部。以上贡献对应代表性论著1、2、3、6、7。
- 姓名：郝跃
排名：4
行政职务：无
技术职称：教授
工作单位：西安电子科技大学
完成项目时所在单位：西安电子科技大学
对本项目主要学术贡献：针对重要科学发现1、2、3，构建了宽带隙无机钙钛矿薄膜生长调控的理论框架，提出了高性能光电器件结构设计思路，发展了宽带隙钙钛矿半导体器件物理，指导并参与了相关成果的产学研合作与应用验证。以上贡献对应代表性论著1、2、3、4、5。
- 姓名：习鹤
排名：5
行政职务：无
技术职称：副教授
工作单位：西安电子科技大学
完成项目时所在单位：西安电子科技大学
对本项目主要学术贡献：针对重要科学发现3，开发了降温结晶液相外延生长方法，制备出宽带隙2D/3D钙钛矿单晶异质结X射线探测器，抑制了离子迁移，提升了探测器的稳定性与灵敏度。参编写中文专著2部。以上贡献对应代表性论著5、6、7。
- 姓名：柴文明
排名：6
行政职务：无
技术职称：助理研究员
工作单位：西安电子科技大学
完成项目时所在单位：西安电子科技大学
对本项目主要学术贡献：针对重要科学发现2，开发了埋底纳米片晶种辅助生长创新工艺，完成相关薄膜与器件表征，揭示了界面晶种调控结晶生长与电荷输运的机制，实现了宽带隙太阳电池效率和稳定性的提升。以上贡献对应代表性论著4。
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| 主要完成单位： | - 单位名称：西安电子科技大学
单位贡献：西安电子科技大学依托宽禁带半导体器件与集成应用全国重点实验室、宽禁带半导体国家工程研究中心、国家集成电路产教融合创新平台，为本项目提供了科研平台、团队人员与项目管理，为本项目取得3个重要科学发现点提供了坚实保障。西安电子科技大学作为本项目第一完成单位，全面负责项目的总体规划、设计、实施与组织，为本项目提供了大力支持和充分保障，确保了项目的顺利进行。
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| 完成人合作关系说明： | 完成人合作关系说明：1
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