| 评审组： | 基础研究组 | | 项目名称： | GaN纳米结构物性调控及应用研究 |
| 提名单位： | 陕西省教育厅 |
| 提名等级： | 二等奖 |
| 提名单位意见： | 该项目以第三代半导体GaN材料为基础，主要针对各种GaN纳米结构的可控制备，系统研究它们的光电及场发射特性，提出了通过改变几何结构、掺杂、吸附、包覆等手段调控GaN纳米结构的光电和场发射特性。课题承担者在Applied Surface Science等期刊发表SCI检索论文100余篇，项目获得发明专利授权5项，引起了同行的重视。GaN光电性质调控技术已进行推广，目前已在陕西云广电子科技有限公司试点应用，应用效果良好。代表作被众多著名学者在Chemical Reviews、等期刊引用并积极评价。项目第一完成人崔真因本项目研究荣获“陕西省青年科技新星”称号，连续三年入选全球前2%顶尖科学家榜单。本项目获得陕西省高等学校科学技术奖3项。 |
| 项目简介： | 
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| 客观评价： | 
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| 代表性论文专著目录： | 
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| 主要完成人情况： | - 姓名：崔真
排名：1
行政职务：系副主任
技术职称：副教授
工作单位：西安理工大学
完成项目时所在单位：西安理工大学
对本项目主要学术贡献：项目总体负责人，主导全局并提出“掺杂、吸附、构建异质结”调控核心思路，牵头完成多形态GaN纳米线可控制备、Se/Ti掺杂理论与实验验证、二维GaN异质结光催化及缺陷型GaN气体探测研究；获“陕西省青年科技新星”，连续三年入选全球前2%顶尖科学家，推动技术企业试点。代表作方面，《Applied Surface Science》（2020）主导计算揭示缺陷增强气体传感机制，《Materials and Design》（2016）分析Ti掺杂指导光电器件，《Applied Surface Science》（2019）明确异质结光催化潜力，另参与《Vacuum》（2022）相关制备与界面研究。
- 姓名：沈洋
排名：2
行政职务：系副主任
技术职称：副教授
工作单位：西安理工大学
完成项目时所在单位：西安理工大学
对本项目主要学术贡献：项目主要参与人，负责GaN纳米结构制备与性能优化。在多形态GaN纳米线研究中，协助优化CVD工艺以实现层状、螺旋形等GaN纳米线形貌精准控制，并参与验证其光电与场发射特性；同时参与二维GaN纳米片水热反应与氨化两步法实验，助力解决制备过程中的结晶度与结构稳定性问题。在代表作《Vacuum》（2022）中，深度参与二维GaN纳米片制备工作，优化水热参数、协助控制氨化反应条件，还参与SEM、XRD表征数据收集，为纳米片结构与性能研究提供关键支撑。
- 姓名：李恩玲
排名：3
行政职务：无
技术职称：教授
工作单位：西安理工大学
完成项目时所在单位：西安理工大学
对本项目主要学术贡献：项目主要参与人，负责GaN纳米结构光学性能调控与理论验证。在代表作1（《Applied Surface Science》2020）中，参与气体吸附体系光学测试，协助验证电荷转移规律，提供实验数据支持。在代表作2（《Vacuum》2022）中，主导GaN纳米片光学性能研究，获取吸收峰、发光峰及带隙数据，分析厚度对拉曼峰的影响。
- 姓名：赵娜娜
排名：4
行政职务：党支部书记
技术职称：教授
工作单位：西安理工大学
完成项目时所在单位：西安理工大学
对本项目主要学术贡献：项目主要参与人，负责多形态GaN纳米线与二维GaN纳米片的SEM、TEM等微观表征，获取材料形貌、晶体结构数据，为阐明合成机理与性能关联提供依据；参与优化二维GaN纳米片氨化工艺，提升结晶质量。在代表作5（《Vacuum》2022）中，设计原位反应方案，优化工艺制备NbC强化层，负责SEM、TEM等表征，分析界面结构与结合强度。
- 姓名：马德明
排名：5
行政职务：无
技术职称：教授
工作单位：西安理工大学
完成项目时所在单位：西安理工大学
对本项目主要学术贡献：项目主要参与人，负责GaN光电调控技术推广，协助对接企业开展试点应用，收集数据并反馈优化建议；参与缺陷型二维GaN气体探测性能测试，验证方法有效性。在代表作2（《Vacuum》2022）中，协助搭建氨化装置，参与XRD、TEM表征，整理数据并撰写部分内容。在代表作3（《Materials and Design》2016）中，协助Ti掺杂GaN纳米线场发射测试，验证功函数数据，补充实验依据。
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| 主要完成单位： | - 单位名称：西安理工大学
单位贡献：本项目以第三代半导体 GaN 材料为核心，聚焦 GaN 纳米结构可控制备与物性调控，系统开展光电及场发射特性研究。西安理工大学牵头完成层状、铅笔形等多形态 GaN 纳米线及二维 GaN 纳米片的可控制备，揭示其因特殊结构与高场增强因子展现的优异性能；构建 Se、P 等元素掺杂 GaN 纳米线模型，通过理论与实验结合，阐明掺杂对物性的调控机制；理论研究二维 GaN / 过渡金属硫属化物异质结电子结构，明晰其光催化水分解机制；提出缺陷型二维 GaN 有毒气体探测方法，揭示传感性能提升机理。
依托国家自然科学基金等项目支持，学校团队在《Applied Surface Science》、《Materials & Design》等期刊发表 SCI 论文 100 余篇，获发明专利授权 5 项，研究成果获陕西省高等学校科学技术奖 3 项，项目核心技术已在陕西云广电子科技有限公司试点应用。成果被《Chemical Reviews》等权威期刊及国内外高校学者引用评价，项目第一完成人崔真获评 “陕西省青年科技新星” 并连续三年入选全球前 2% 顶尖科学家榜单，为 GaN 材料在光电器件、传感等领域的应用奠定关键基础。
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| 完成人合作关系说明： | 完成人合作关系说明：1
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