| 学科专业评审组： | 电子与通信技术组 | | 项目名称： | 高压、超高压MOSFET系列产品研制 |
| 提名单位： | 陕西省人民政府国有资产监督管理委员会 |
| 提名等级： | 三等奖 |
| 提名单位意见： | 项目通过采用全新漂移区穿通设计方法、P+区和N＋区紧凑型新结构设计、VLD设计技术等设计理念，减少芯片面积、降低器件的导通电阻、提高器件电流密度，提升器件终端耐压，成功研制出了高压、超高压MOSFET系列产品，其中，高压MOSFET产品的电压覆盖500V-800V，电流覆盖13A-28A，导通电阻为0.8Ω-0.32Ω，超高压MOSFET产品的电压覆盖1200V-1700V，电流覆盖2A-6A，导通电阻为5.5Ω-3Ω。上述高压、超高压MOSFET器件具备击穿耐压高、开关速度快、安全工作区宽以及温度稳定性优良的特点，可广泛应用于大功率电源、高压逆变器、DC-DC转换器等电力设施中。
项目产品的工艺设计、管芯设计、生产流片以及封装测试均是在西安卫光科技有限公司自有产线完成，完全自主可控，成功实现了国产化替代。 项目涵盖了8个典型产品，并在该项目技术平台的基础上，项目组还成功研制了十余种系列拓展产品。产品封装外形适用于塑封TO-220F、TO-247AC等多种塑封及金属封装形式。产品等级包括普军、七专，可满足不同客户的需求。
项目的实施对于提升我省半导体功率器件的自主创新能力，推动科技进步具有重要意义。项目的成功不仅为企业带来了显著的经济效益，也推动了相关产业的发展，特别是在高压、超高压开关器件的发展中起到了至关重要的作用。
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| 项目简介： | 
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| 客观评价： | 
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| 应用情况和效益： |  |
| 主要知识产权和标准规范等目录： |  |
| 主要完成人： | - 姓名：李朴
排名：1
行政职务：器件研制组组长
技术职称：工程师
工作单位：西安卫光科技有限公司
对本项目技术创造性贡献：作为项目研制总负责人，对项目进行中的质量控制负全责，从产品的设计、开发、试制生产、产品定型到最后的项目验收，针对产品在试制过程中出现问题经过仔细分析，反复调整工艺条件和测试，找到问题点解决问题，从而保证所有产品达到规定的参数要求，保质保量完成了产品研制计划。
曾获国家科技奖励情况：《特种器件开发》获2024年科学技术三等奖
《军用大电流MOSFET型谱》获陕西电子信息集团科学技术一等奖
《大电流功率MOSFET》项目2023年获陕西省科技工作者创新创业大赛三等奖 - 姓名：刘亚慧
排名：2
行政职务：科技项目部部长
技术职称：高级工程师
工作单位：西安卫光科技有限公司
对本项目技术创造性贡献：产品质量负责人，针对工艺方案和工艺实施过程中的质量问题，及时做出调整，保质保量完成了产品的顺利研制。编制质量文件，达到指导生产实践的目的。同时负责产品详细规范的审核。
曾获国家科技奖励情况： - 姓名：赵安康
排名：3
行政职务：业务主管
技术职称：助理工程师
工作单位：西安卫光科技有限公司
对本项目技术创造性贡献： 芯片设计负责人，负责产品管芯的工艺研发，制定产品工艺方案，并跟踪工艺的实施情况，及时做出调整，保质保量完成了管芯的顺利生产。对仿真软件进行适当调整提高软件和实际生产线的契合度，并在生产中进行验证，最后达到指导生产。
曾获国家科技奖励情况：《高压、超高压MOSFET系列产品研制》获陕西电子信息集团二等奖 - 姓名：唐康乐
排名：4
行政职务：业务主管
技术职称：助理工程师
工作单位：西安卫光科技有限公司
对本项目技术创造性贡献：项目管理，负责协调项目进度及项目节点的实施
曾获国家科技奖励情况：《高压、超高压MOSFET系列产品研制》获陕西电子信息集团二等奖 - 姓名：孙敬宇
排名：5
行政职务：无
技术职称：助理工程师
工作单位：西安卫光科技有限公司
对本项目技术创造性贡献：产品试验负责人，负责产品测试和可靠性试验，及时解决试验过程中的技术问题，完成六个产品应用验证和应用指南的审核。
曾获国家科技奖励情况：《高压、超高压MOSFET系列产品研制》获陕西电子信息集团二等奖 - 姓名：刘英
排名：6
行政职务：组长
技术职称：工程师
工作单位：西安卫光科技有限公司
对本项目技术创造性贡献：主要负责项目中的工艺流程设计，并进行工艺流程的跟踪及保证芯片版图设计合理性。
曾获国家科技奖励情况：《特种器件开发》获2024年科学技术三等奖
《低压MOSFET系列》获得陕西电子信息集团科学技术进步奖一等奖
《军用大电流MOSFET型谱》获得陕西电子信息集团科学技术进步奖一等奖
《低压N沟MOSFET系列晶体管》获得陕西电子信息集团科学技术进步奖一等奖
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| 主要完成单位及创新推广贡献： | - 单位名称：西安卫光科技有限公司
单位贡献： 高压及超高压MOSFET作为航天、核工业等关键领域的核心器件，长期以来依赖进口，不仅存在供应链的安全风险，还面临性能适配的挑战。公司基于解决“卡脖子”技术的迫切需求，主导了高压及超高压MOSFET的科技创新项目，从技术研发到产业应用全面推动，为项目的成功实施和行业的持续发展提供了坚实的支持。
在科技创新方面，公司组建了跨学科的研发团队，整合了材料科学、微电子技术和可靠性工程等多个领域的资源，成功攻克了三大关键技术难题。
在应用推广环节，公司秉持“技术落地与产业链协同”的理念，积极推动成果的转化与应用。一方面，公司主动与航天研究所和核装备企业对接，开展定制化的适配开发，确保产品能够满足特定需求。同时，通过参加行业展会和举办技术研讨会，公司积极分享应用案例，助力行业的技术升级和国产替代进程的加速。
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| 完成人合作关系说明： | 完成人合作关系说明：1
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