| 学科专业评审组： | 电子与通信技术组 | | 项目名称： | 集成电路高灵敏度缺陷检测技术及设备 |
| 提名单位： | 陕西省教育厅 |
| 提名等级： | 一等奖 |
| 提名单位意见： | 该项目面向国家集成电路产业发展的重大战略需求，系统攻克了长期被国外技术封锁和产品垄断的半导体检测领域核心难题，创新开发了激光共焦定位暗场成像与多方位融合检测技术、相敏成像检测与结构化纳米探针三维表征技术以及多视角远心结构光三维检测技术，自主研发了具有国际先进水平的检测设备，实现了从方法、技术到装备的全面创新和应用推广。该项目技术难度大、创新性强、具有自主知识产权，核心技术自主可控，有力支撑我国半导体检测装备自主可控。
该项目获得授权国家发明专利、英国和PCT国际专利70项（转让15项），软件著作权6项，国家标准2项，发表学术论文137篇，技术落地新增经济效益超过200亿元；培养国家级人才3名，毕业博士硕士研究生50余人。核心技术入选了中国科协首届“科创中国”先导技术榜单，提出的“如何解决三维半导体芯片中纳米结构测量难题”入选了中国科协十大工程技术难题，研究成果“半导体晶圆缺陷检测技术及装备”获得陕西省科技工作者创新创业大赛一等奖，经济效益与社会效益显著。
该项目成果无知识产权争议，完成人和完成单位排序无异议，符合陕西省科技进步奖提名条件。 |
| 项目简介： | 
|
| 客观评价： | 
|
| 应用情况和效益： | 
|
| 主要知识产权和标准规范等目录： | 
|
| 主要完成人： | - 姓名：杨树明
排名：1
行政职务：全国重点实验室副主任
技术职称：教授
工作单位：西安交通大学
对本项目技术创造性贡献：项目总负责人，创新点1、2和3的主要贡献者，提出了激光共焦定位暗场成像与多方位融合缺陷检测技术、相敏成像与结构化纳米探针晶圆缺陷检测技术、多视角远心结构光三维缺陷检测技术。主要知识产权1-10的共同发明人。
曾获国家科技奖励情况：2020年，中国计量测试学会科技进步奖，一等奖，大长径比复合纳米探针可控制备及可溯源测量方法，排名第一，证书编号2020-J-09-1-02-R01；2022年，陕西省高等学校科学技术研究优秀成果奖，一等奖，微纳结构表面和亚表面多参数光学测量技术及装备，排名第一；2025年，中国计量测试学会科技进步奖，一等奖，半导体晶圆深亚波长缺陷多模态一体化检测技术及装备，排名第一，证书编号2025-J-24-1-01-R01。 - 姓名：张国锋
排名：2
行政职务：无
技术职称：副研究员
工作单位：西安交通大学
对本项目技术创造性贡献：创新点2、3的主要贡献者，共同提出了圆偏光相敏成像图形晶圆缺陷明场检测技术和多视角远心结构光成像的先进封装芯片缺陷三维检测技术。主要知识产权3、4、6、8-10的共同发明人。
曾获国家科技奖励情况：2020年，中国计量测试学会科技进步奖，一等奖，大长径比复合纳米探针可控制备及可溯源测量方法，排名第二，证书编号2020-J-09-1-02-R02；2022年，陕西省高等学校科学技术研究优秀成果奖，一等奖，微纳结构表面和亚表面多参数光学测量技术及装备，排名第四；2025年，中国计量测试学会科技进步奖，一等奖，半导体晶圆深亚波长缺陷多模态一体化检测技术及装备，排名第三，证书编号2025-J-24-1-01-R03。 - 姓名：杨柯
排名：3
行政职务：董事长
技术职称：其它
工作单位：陕西电子芯业时代科技有限公司
对本项目技术创造性贡献：创新点2的主要贡献者，参与研制了半导体图形晶圆纳米缺陷检测设备，并开展了设备性能测试、迭代优化与应用推广。
曾获国家科技奖励情况：2024年，陕西省科学技术进步奖，三等奖，国产化半导体CIM技术及应用，排名第四，证书编号2024-J-244626-3-R04。 - 姓名：李家贵
排名：4
行政职务：无
技术职称：高级工程师
工作单位：陕西电子芯业时代科技有限公司
对本项目技术创造性贡献：创新点2的主要贡献者，参与开发了半导体图形晶圆光学缺陷检测软件系统，并开展了软硬件调试与应用验证。
曾获国家科技奖励情况：2024年，陕西省科学技术进步奖，三等奖，国产化半导体CIM技术及应用，排名第六，证书编号2024-J-244626-3-R06。 - 姓名：吉培瑞
排名：5
行政职务：无
技术职称：助理研究员
工作单位：西安交通大学
对本项目技术创造性贡献：创新点1的主要贡献者，共同提出了激光共焦定位辅助的暗场成像检测技术，参与研制了样机系统并进行了测试实验。主要知识产权4的共同发明人。
曾获国家科技奖励情况：2025年，中国计量测试学会科技进步奖，一等奖，半导体晶圆深亚波长缺陷多模态一体化检测技术及装备，排名第五，证书编号2025-J-24-1-01-R05。 - 姓名：刘还平
排名：6
行政职务：总裁
技术职称：无
工作单位：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
对本项目技术创造性贡献：创新点1的主要贡献者，参与研制了硅片表面纳米缺陷检测设备，组织开展装备工况适配、缺陷样本比对及关键指标量产验证，协同完成硅片纳米缺陷检测技术产线适配，推动技术方案工程化落地。
曾获国家科技奖励情况：无 - 姓名：李超
排名：7
行政职务：总经理
技术职称：工程师
工作单位：华润微电子（重庆）有限公司
对本项目技术创造性贡献：创新点2的主要贡献者，参与研制了先进制程芯片高深宽比纳米结构缺陷检测设备，并开展了仪器性能测试、迭代优化与应用推广。
曾获国家科技奖励情况：无 - 姓名：肖智成
排名：8
行政职务：总经理
技术职称：无
工作单位：华羿微电子股份有限公司
对本项目技术创造性贡献：创新点3的主要贡献者，参与研制了多视角远心结构光三维测量设备，并开展了设备性能测试、迭代优化与应用推广。
曾获国家科技奖励情况：无 - 姓名：兰洵
排名：9
行政职务：副总裁、首席技术官
技术职称：高级工程师
工作单位：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
对本项目技术创造性贡献：创新点1的主要贡献者，参与开发了硅片表面纳米缺陷检测设备，统筹产线工艺验证实施，组织完成12英寸硅片样本制备与工况匹配，开展缺陷比对、指标对标测试，支撑一体化检测技术方案的产线适配落地。
曾获国家科技奖励情况：无 - 姓名：赵文涛
排名：10
行政职务：事业群总经理/封装技术总监
技术职称：工程师
工作单位：华羿微电子股份有限公司
对本项目技术创造性贡献：创新点3的主要贡献者，参与研制了大面积高密度先进封装凸点的高效检测软件系统，并开展了软硬件调试与应用验证。
曾获国家科技奖励情况：2023年，陕西省科学技术进步奖，二等奖，高效硅基功率器件与集成模组技术，排名第三，证书编号2023-J-234167-2-R03。
|
| 主要完成单位及创新推广贡献： | - 单位名称：西安交通大学
单位贡献：西安交通大学具有完善的产学研合作机制和政策，以及良好的国际合作学术环境，在项目进行过程中，在国家和学校的政策支持下与国内外高校、研究院所以及行业龙头企业开展了广泛和深入的合作。西安交通大学精密微纳制造技术全国重点实验室具有一流的洁净室环境、先进的微纳加工及检测设备，为本项目的顺利开展提供了支撑条件。
- 单位名称：陕西电子芯业时代科技有限公司
单位贡献：陕西电子芯业时代科技有限公司是由陕西电子信息集团有限公司作为大股东成立的混合所有制公司，公司总投资45亿元，建设陕西省及西北地区首条8英寸高性能特色工艺半导体芯片生产线，该产线月产5万片，年产60万片，产品包括功率器件、功率集成电路。在该项目中，与西安交通大学技术团队合作研制了系列半导体晶圆量检测设备，并提供了产线验证条件，开展了设备性能测试、迭代优化及应用验证。
- 单位名称：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
单位贡献：西安奕斯伟材料科技股份有限公司是国内领先的 12 英寸电子级硅片产品及服务提供商，2025 年在科创板上市，专注于 12 英寸硅单晶抛光片和外延片的研发、制造与销售，覆盖拉晶、成型、抛光、清洗、外延完整工艺链，产品广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件等领域。在该项目中，作为创新点 1 主要贡献者，与西安交通大学技术团队合作研制了硅片表面纳米缺陷检测设备，并提供了产线验证条件，开展了装备性能测试、迭代优化及应用推广。
- 单位名称：华润微电子（重庆）有限公司
单位贡献：华润微电子（重庆）有限公司是华润微电子旗下集半导体设计、研发、制造与服务于一体的IDM企业 ，聚焦功率半导体领域，拥有8英寸生产线，是国内重要的车规级功率半导体产业基地 ，产品涵盖功率器件、GaN等第三代半导体器件。在该项目中，作为创新点2主要贡献者，与西安交通大学技术团队合作研制了先进制程高深宽比纳米结构缺陷检测设备，并提供了 产线验证条件，开展了设备性能测试、迭代优化及应用推广。
- 单位名称：华羿微电子股份有限公司
单位贡献：华羿微电子股份有限公司是华天电子集团旗下专注于半导体功率器件研发设计、封测及销售的 IDM 企业，主20V-150V 中低压 MOSFET（Trench 及 SGT 两大系列），产品广泛应用于电动车、汽车电子、储能、5G 基站等领域，在电机驱动与电池储能领域具有较高市场占有率。在该项目中，作为创新点 3 主要贡献者，与西安交通大学技术团队合作研制了大面积高密度先进封装凸点高效检测软件系统，并提供了应用验证条件，开展了软硬件调试及应用验证。
|
| 完成人合作关系说明： | 完成人合作关系说明：1
|
